Научно-производственное объединение «Импульс» холдинга «Росэлектроника» и Санкт-Петербургский политехнический университет подписали соглашение о стратегическом партнерстве в области научно-технического сотрудничества. Стороны договорились об открытии новой научной лаборатории, совместной разработке проектов, а также целевой подготовке студентов с дальнейшим трудоустройством на предприятии. В ходе торжественной церемонии подписи под документом поставили...

Ученые Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого (СПбПУ) разработали миниатюрные электроды (аноды и катоды), которые в дальнейшем могут стать компонентами нового класса компактных и безопасных аккумуляторов – тонкопленочных твердотельных литий-ионных аккумуляторов (ТТЛИА). Сегодня литий-ионные аккумуляторы (ЛИА) используются в широком спектре устройств — от носимой электроники до электромобилей....

Физики Московского физико-технического института с коллегами из Московского педагогического государственного университета и университета Манчестера создали высокочувствительный детектор терагерцового излучения на основе туннельного эффекта в графене. Чувствительность устройства уже превосходит коммерчески доступные аналоги на основе полупроводников и сверхпроводников, что открывает перспективы приложений графенового детектора в беспроводных...

1 и 2 февраля президент Российской академии наук академик Александр Михайлович Сергеев в ходе рабочего визита посетил институты Сибирского отделения. Главе РАН представили первые результаты работы по крупным проектам «стомиллионникам» ― победителям конкурса Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ. «Квантовые структуры для посткремниевой...

Специалисты АО «НИИМЭ» (входит в ГК «Элемент») в рамках программы импортозамещения разработали 64-разрядный микроконтроллер на базе 64-битного ядра NE64RV, а также создали прототип универсального 32-разрядного микроконтроллера с RISC-V ядром. Микроконтроллер 5549ТКО выполнен на базе 64-битного ядра NE64RV и обладает повышенной производительностью за счет 64-разрядной архитектуры при...

Научный коллектив Санкт-Петербургского политехнического университета Петра Великого совместно со специалистами Университета Тампере разработали новое поколение сверхбыстрых лазеров повышенной мощности, которые в пять раз улучшают качество высокоточной обработки материалов. Результаты работы опубликованы в журнале первого квартиля Scientific Reports. Новое поколение лазеров должно стать опорой будущего прорывного развития производственных технологий...

С 4 по 10 октября отмечается Всемирная неделя космоса. Рассказываем о тематических разработках ученых Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова. Исследователи ИФП СО РАН подготовили к контрольно-доводочным испытаниям опытный образец комплекса научной аппаратуры для синтеза полупроводниковых структур на Международной космической станции. После предыдущего этапа тестирования...

ОАО НПО «Физика» представляет новую разработку — четырехканальную микросборку гальванической развязки с соотношением цифровых сигналов 2-2. Основные характеристики нового изделия: 1. Напряжение изоляции 2,5кВ, устройчивость к переходному процессу 25кВ/мкс. 2. Корпус 5226.18-1, такой же, как у двухканальной развязки 2015ВВ015. 3. Напряжение питания обоих доменов допускается варьировать в пределах от...

Сотрудники Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова (ИФП) СО РАН выиграли грант Минобрнауки РФ в 300 млн рублей на изучение физики квантовых эффектов, что станет основой для создания вычислительной техники будущего. Об этом в среду сообщила ТАСС пресс-служба министерства. «Коллаборация исследователей РФ под руководством специалистов ИФП СО РАН...

АО «НИИЭТ» продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов. Предприятие получило патент на топологию 100-ваттной GaN-транзисторной структуры L-, S- диапазонов частот с напряжением питания 28 В со сложной структурой затворной шины. Об этом сообщил технический директор НИИ электронной техники Игорь Семейкин. «С учетом специфики работы СВЧ-схем, в...