НИИ электронной техники примет участие в международной выставке ExpoElectronica – 2021 и представит три уникальных отечественных продукта, созданных на основе изделий собственной разработки. Речь идет о прототипе инвертора на GaN-транзисторах, системе видеоконференцсвязи и кассовом аппарате со встроенным микроконтроллером производства АО «НИИЭТ».

На выставочном стенде ГК «Элемент», в которую входит НИИЭТ, можно будет увидеть мощные СВЧ нитрид-галлиевые согласованные транзисторы, усилители мощности, тестовые образцы силовых GaN-транзисторов, быстродействующие ЦАП, ряд микроконтроллеров в пластиковых корпусах и др. Кроме того, эксперты НИИ электронной техники выступят с докладами на деловой программе выставки.

Также, в рамках ExpoElectronica – 2021, институт примет участие в конкурсе «Премия Electronica», где представит новые силовые GaN-транзисторы с шифрами ТНГ-К 45030, ТНГ-К 10030, ТНГ-К 20020, ТНГ-К 20040, ТНГ-К 45020, а также серию 32-разрядных RISC-микроконтроллеров с улучшенными характеристиками.

Оценка участников будет проходить по следующим категориям: «Микро- и наноэлектроника», «Контрактное производство и разработки», «Силовая электроника», «Доверенная платформа», «Локализация», «Базовые технологии производства электроники», «Российские дистрибьюторы оборудования и представительства зарубежных компаний», «Российские дистрибьюторы ЭКБ».

Разработки НИИ электронной техники будут представлены в категориях: «Микро- и наноэлектроника», «Силовая электроника».

Новые силовые GaN-транзисторы, разработанные в АО «НИИЭТ» и представленные к участию в премии, привлекательны в качестве альтернативы кремниевым силовым транзисторам. Они отличаются повышенной подвижностью электронов и увеличенной электрической прочностью. Применение данных транзисторов позволяет добиться увеличения КПД до 97-98%, тогда как при использовании изделий на кремнии этот показатель достигает только 93-94%. Рабочие частоты у силовых GaN-транзисторов на 2 порядка выше, чем у кремниевых и достигают десятков МГц, а ударные токи выше ориентировочно вдвое. GaN-ключи также обладают чрезвычайно высокой скоростью переключений и минимальным временем обратного восстановления.

Серия 32-разрядных RISC-микроконтроллеров K1921ВК028 и K1921ВК035 с улучшенными характеристиками разработана и запущена в производство в НИИЭТ в 2020 году. Преимущество данных микросхем заключается в сочетании высокой производительности, широким набором периферийных устройств, в том числе специализированных под задачи управления электродвигателями, больших объемах памяти.

K1921ВК028 – один из самых современных высокопроизводительных 32-разрядных микроконтроллеров в России, единственный отечественный контроллер с объемом встроенной Flash-памяти более 2 Мбайта.

K1921ВК035 – микроконтроллер, который отличается сочетанием рекордно маленьких габаритных размеров и высокой производительности. Контроллер работает на внутренней тактовой частоте до 100 МГц, поддерживает операции с плавающей запятой и при этом размещен в 48-выводной корпус размерами 6х6 мм.

Премия ELECTRONICA направлена на поддержку и продвижение лучших инновационных разработок электронной промышленности, реализуемых на российском рынке. Победителей будет выбирать представители отраслевого сообщества, среди которых участники и посетители выставок ExpoElectronica и ElectronTechExpo. Ключевым критерием отбора во всех номинациях является ценность продукта для конечного потребителя и его востребованность на рынке.

Источник: НИИЭТ