АО «НИИЭТ» продолжает расширять номенклатуру мощных СВЧ GaN-транзисторов. Предприятие получило патент на топологию 100-ваттной GaN-транзисторной структуры L-, S- диапазонов частот с напряжением питания 28 В со сложной структурой затворной шины. Об этом сообщил технический директор НИИ электронной техники Игорь Семейкин.

«С учетом специфики работы СВЧ-схем, в новой конструкции транзисторного
кристалла применена инновационная схема расположения балластирующих
резисторов для стабилизации параметров и увеличения надежности
выпускаемых транзисторов и аппаратуры в целом», -сказал он.

Транзистор выпускается с приемкой ОТК под шифром «ПП9139Б1», а его стоимость составляет 22362,4 рублей без НДС. Заказать транзистор можно на официальном сайте АО «НИИЭТ» в разделе «Транзисторы серии «ПП».

Источник: www.industry-hunter.com